Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama

Nurul Aida Mohamed, Javad Safaei, Aznan Fazli Ismail, Mohamad Firdaus Mohamad Noh, Mohd Fairuz Soh, Mohd. Adib Ibrahim, Norasikin Ahmad Ludin, Mohd Asri Mat Teridi

Research output: Contribution to journal › Article

Abstract

Dalam kajian ini, kesan sinar gama ke atas bahan semikonduktor g-C3N4 kGy (0.1 kGy dan 0.5) dibincangkan dan dibandingkan dengan sampel yang tidak disinar untuk melihat perbezaanya. Bahan g-C3N4 disintesis dari urea melalui proses pempolimeran haba pada suhu 520°C. Struktur dan morfologi g-C3N4 dianalisis dengan menggunakan pembelauan Sinar- X (XRD), spektroskopi transformasi Fourier inframerah (FT-IR), mikroskop pengimbas elektron pancaran medan dengan spektroskopi tenaga sinar-X (FESEM-EDX), spektroskopi cahaya nampak - ultraungu (UV-Vis) dan ketumpatan arus (LSV). Sinar gama telah mengubah struktur ikatan g-C3N4 dan mengurangkan sela jalur iaitu daripada 2.80 eV kepada 2.72 eV. Di samping itu, sampel g-C3N4 yang disinar pada 0.1 kGy menghasilkan prestasi lima kali ganda lebih tinggi iaitu daripada 3.59 µAcm-2 kepada 14.2 µAcm-2 pada 1.23 V lawan Ag/AgCl dalam larutan elektrolit 0.5 M Na2SO4 (pH7). Kesimpulannya, keputusan kajian menunjukkan bahan semikonduktor yang dirawat dengan sinar gama berpotensi untuk meningkatkan fotoelektrokimia (PEC) pemisahan air.

Original languageEnglish
Pages (from-to)1129-1135
Number of pages7
JournalSains Malaysiana
Volume48
Issue number5
DOIs
Publication statusPublished - 1 Jan 2019

Fingerprint

urea
air

Keywords

  • Kata kunci: g-CN
  • Pemisahan air
  • Sela jalur tenaga
  • Sinar gama

ASJC Scopus subject areas

  • General

Cite this

Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama. / Mohamed, Nurul Aida; Safaei, Javad; Ismail, Aznan Fazli; Noh, Mohamad Firdaus Mohamad; Soh, Mohd Fairuz; Ibrahim, Mohd. Adib; Ahmad Ludin, Norasikin; Mat Teridi, Mohd Asri.

In: Sains Malaysiana, Vol. 48, No. 5, 01.01.2019, p. 1129-1135.

Research output: Contribution to journal › Article

Mohamed, NA, Safaei, J, Ismail, AF, Noh, MFM, Soh, MF, Ibrahim, MA, Ahmad Ludin, N & Mat Teridi, MA 2019, 'Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama', Sains Malaysiana, vol. 48, no. 5, pp. 1129-1135. https://doi.org/10.17576/jsm-2019-4805-22
Mohamed NA, Safaei J, Ismail AF, Noh MFM, Soh MF, Ibrahim MA et al. Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama. Sains Malaysiana. 2019 Jan 1;48(5):1129-1135. https://doi.org/10.17576/jsm-2019-4805-22
Mohamed, Nurul Aida ; Safaei, Javad ; Ismail, Aznan Fazli ; Noh, Mohamad Firdaus Mohamad ; Soh, Mohd Fairuz ; Ibrahim, Mohd. Adib ; Ahmad Ludin, Norasikin ; Mat Teridi, Mohd Asri. / Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama. In: Sains Malaysiana. 2019 ; Vol. 48, No. 5. pp. 1129-1135.
@article{22800463a2394882b16114972695c180,
title = "Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama",
abstract = "Dalam kajian ini, kesan sinar gama ke atas bahan semikonduktor g-C3N4 kGy (0.1 kGy dan 0.5) dibincangkan dan dibandingkan dengan sampel yang tidak disinar untuk melihat perbezaanya. Bahan g-C3N4 disintesis dari urea melalui proses pempolimeran haba pada suhu 520°C. Struktur dan morfologi g-C3N4 dianalisis dengan menggunakan pembelauan Sinar- X (XRD), spektroskopi transformasi Fourier inframerah (FT-IR), mikroskop pengimbas elektron pancaran medan dengan spektroskopi tenaga sinar-X (FESEM-EDX), spektroskopi cahaya nampak - ultraungu (UV-Vis) dan ketumpatan arus (LSV). Sinar gama telah mengubah struktur ikatan g-C3N4 dan mengurangkan sela jalur iaitu daripada 2.80 eV kepada 2.72 eV. Di samping itu, sampel g-C3N4 yang disinar pada 0.1 kGy menghasilkan prestasi lima kali ganda lebih tinggi iaitu daripada 3.59 µAcm-2 kepada 14.2 µAcm-2 pada 1.23 V lawan Ag/AgCl dalam larutan elektrolit 0.5 M Na2SO4 (pH7). Kesimpulannya, keputusan kajian menunjukkan bahan semikonduktor yang dirawat dengan sinar gama berpotensi untuk meningkatkan fotoelektrokimia (PEC) pemisahan air.",
keywords = "Kata kunci: g-CN, Pemisahan air, Sela jalur tenaga, Sinar gama",
author = "Mohamed, {Nurul Aida} and Javad Safaei and Ismail, {Aznan Fazli} and Noh, {Mohamad Firdaus Mohamad} and Soh, {Mohd Fairuz} and Ibrahim, {Mohd. Adib} and {Ahmad Ludin}, Norasikin and {Mat Teridi}, {Mohd Asri}",
year = "2019",
month = "1",
day = "1",
doi = "10.17576/jsm-2019-4805-22",
language = "English",
volume = "48",
pages = "1129--1135",
journal = "Sains Malaysiana",
issn = "0126-6039",
publisher = "Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia",
number = "5",

}

TY - JOUR

T1 - Peningkatan Kecekapan Pemisahan Air Menggunakan g-C3N4 yang Disinar Gama

AU - Mohamed, Nurul Aida

AU - Safaei, Javad

AU - Ismail, Aznan Fazli

AU - Noh, Mohamad Firdaus Mohamad

AU - Soh, Mohd Fairuz

AU - Ibrahim, Mohd. Adib

AU - Ahmad Ludin, Norasikin

AU - Mat Teridi, Mohd Asri

PY - 2019/1/1

Y1 - 2019/1/1

N2 - Dalam kajian ini, kesan sinar gama ke atas bahan semikonduktor g-C3N4 kGy (0.1 kGy dan 0.5) dibincangkan dan dibandingkan dengan sampel yang tidak disinar untuk melihat perbezaanya. Bahan g-C3N4 disintesis dari urea melalui proses pempolimeran haba pada suhu 520°C. Struktur dan morfologi g-C3N4 dianalisis dengan menggunakan pembelauan Sinar- X (XRD), spektroskopi transformasi Fourier inframerah (FT-IR), mikroskop pengimbas elektron pancaran medan dengan spektroskopi tenaga sinar-X (FESEM-EDX), spektroskopi cahaya nampak - ultraungu (UV-Vis) dan ketumpatan arus (LSV). Sinar gama telah mengubah struktur ikatan g-C3N4 dan mengurangkan sela jalur iaitu daripada 2.80 eV kepada 2.72 eV. Di samping itu, sampel g-C3N4 yang disinar pada 0.1 kGy menghasilkan prestasi lima kali ganda lebih tinggi iaitu daripada 3.59 µAcm-2 kepada 14.2 µAcm-2 pada 1.23 V lawan Ag/AgCl dalam larutan elektrolit 0.5 M Na2SO4 (pH7). Kesimpulannya, keputusan kajian menunjukkan bahan semikonduktor yang dirawat dengan sinar gama berpotensi untuk meningkatkan fotoelektrokimia (PEC) pemisahan air.

AB - Dalam kajian ini, kesan sinar gama ke atas bahan semikonduktor g-C3N4 kGy (0.1 kGy dan 0.5) dibincangkan dan dibandingkan dengan sampel yang tidak disinar untuk melihat perbezaanya. Bahan g-C3N4 disintesis dari urea melalui proses pempolimeran haba pada suhu 520°C. Struktur dan morfologi g-C3N4 dianalisis dengan menggunakan pembelauan Sinar- X (XRD), spektroskopi transformasi Fourier inframerah (FT-IR), mikroskop pengimbas elektron pancaran medan dengan spektroskopi tenaga sinar-X (FESEM-EDX), spektroskopi cahaya nampak - ultraungu (UV-Vis) dan ketumpatan arus (LSV). Sinar gama telah mengubah struktur ikatan g-C3N4 dan mengurangkan sela jalur iaitu daripada 2.80 eV kepada 2.72 eV. Di samping itu, sampel g-C3N4 yang disinar pada 0.1 kGy menghasilkan prestasi lima kali ganda lebih tinggi iaitu daripada 3.59 µAcm-2 kepada 14.2 µAcm-2 pada 1.23 V lawan Ag/AgCl dalam larutan elektrolit 0.5 M Na2SO4 (pH7). Kesimpulannya, keputusan kajian menunjukkan bahan semikonduktor yang dirawat dengan sinar gama berpotensi untuk meningkatkan fotoelektrokimia (PEC) pemisahan air.

KW - Kata kunci: g-CN

KW - Pemisahan air

KW - Sela jalur tenaga

KW - Sinar gama

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85068361596&partnerID=8YFLogxK

UR - http://www.scopus.com/inward/citedby.url?scp=85068361596&partnerID=8YFLogxK

U2 - 10.17576/jsm-2019-4805-22

DO - 10.17576/jsm-2019-4805-22

M3 - Article

AN - SCOPUS:85068361596

VL - 48

SP - 1129

EP - 1135

JO - Sains Malaysiana

JF - Sains Malaysiana

SN - 0126-6039

IS - 5

ER -

Access to Document